福鼎开关福鼎干式变压器​EMI抑制有效途径

0 为降低开关福鼎干式变压器转换器的辐射EMI ，一种传统方法是在福鼎干式变压器解决方案周围增设EMI屏蔽，其将在金属外壳内包含一个EMI场。然而，EMI屏蔽会增加设计复杂性、尺寸和成本。在开关节点上(VSW)布设一个RC减振器电路可帮助减小电压尖峰和后续的振铃。可是增设一个减振器电路将降低工作效率，从而增加功率耗散，导致环境温度和PCB温度升高。后一种对策是采取优良的PCB布局方案，包括使用局部低ESR陶瓷去耦电容器，并为所有的大电流通路www.ganshibyq.com/采用简短的PCB走线间隔，以更大限度地抑制所示的寄生效应，不过代价是增加了工程设计时间并延缓了产品的上市进程。 总的说来，为了同时满足开关福鼎干式变压器尺寸、效率、热耗散和EMI规格要求，工程师必需具备丰的开关福鼎干式变压器设计经验并做出艰难的权衡取舍，特别是在高输入电压、高输出功率应用中(原因如上所述)。为了评估折衷策略和设计一款符合EMI标准并满足所有系统要求的开关福鼎干式变压器转换器，电路设计人员常常需要花费大虽的时间和精力。保证符合EMI标准的解决方案。